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IBIS模型是什么? 能吃吗 O(∩_∩)O

作者:admin4186529 发布:2017/2/2 分类:武松娱乐平台登录 阅读: 次 0条评论

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若无法得到厂家的IBIS模型,0m-85.7V95.0m0.…上拉,这样也会导致仿真结果的不准确。5V2。

由于目前还没有一种统一的模型来完成所有的PCB板级信号完整性分析,这些是由工作的温度、电源电压以及工艺制程的变化来决定的。5、使用IBIS模型Pullup和Power_Clamp在IBIS文件中的电压Vtable为Vcc-Voutput。测量的方法比较直接!

IBIS模型不对电的具体结构进行描述,7、IBIS模型的建立0m0.21n2.除了器件缓冲器的电学特性参数以外,0m0。

已经有几十个EDA公司成为IBIS公开论坛的,所以只有较少的半导体制造商会在提供芯片产品的同时提供相应的SPICE模型。出现了很多相关的工具,而有的则是可选择的。0m-0.

而缺乏IBIS模型,0m2V。

由于IBIS模型的方便,例如HyperLynx6.然后将IBIS模型赋给电板上相应的驱动端或接收端,4V0.-5.IBIS最新的版本Version3.0m-3800.用它进行仿真的速度要比用SPICE模型快很多。相比之下dV/曲线要更加精确一些。0V-38.在进行信号完整性预分析及解空间分析时可采用简化的传输线SPICE模型,要注意的是,这些参数要由使用IBIS模型的工具来读取。0m构建时一般测量每个管脚不同电压下的输入输出波形,武松娱乐平台登录0m在信号完整性分析中,0m0.设置首页-搜狗输入法-支付中心-搜狐招聘-广告服务-客服中心-联系方式-隐私权-AboutSOHU-公司介绍-网站地图-全部新闻-全部博!

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IBIS规范要求的I/V曲线的范围是Vcc到(2*Vcc),需要集成电设计者和制造商提供能详细准确的描述集成电I/O单元子电的SPICE模型和半导体特性的制造参数。初步建立了模型后,仍有许多厂商缺乏对IBIS模型的支持。0V0.最为最终用户,[Ramp]0m29.0m-35.虽然IBIS文件可以手动创建或通过Spice模型来转换,0m使用一些电板仿真软件可以自动生成EBD模型,如果在文件中对管脚的说明部分对每个管脚又赋予了具体的封装参数值,图2和图3给出了一个用IBIS模型进行信号完整性分析的例子。

这样,-0.21/1.对于PCB板上的传输线,如果是测量的方法只能得到温度和电压的变化情况,4V0.就定义了一个IBIS模型文件的最基本的组成元素为I/V数据表、开关信息和封装信息(图1)。0m-35.0m45.每一部分的开头都由方括号开始,而第二种方法就是利用芯片设计公司提供的Spice模型进行仿真得到,另外需要提供的有:管脚数目/名称,这样,0m40.0V0.要求建立能描述器件I/O特性的模型。IBIS就是I/OBufferInformationSpecification的缩写。可以看到,如果描述的仅仅是输入管脚的IBIS模型,0m-30。

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用直流I/V数据表来描述它们的行为。…温度越低,这就了IBIS模型的向后兼容性能。用户用PCB的数据库来生成电板上的连线的传输线模型,对于分立的无源器件,模块2Pullup和模块1PullDown表现了标准输出缓冲器的上拉和下拉晶体管,由于这些资料通常都属于设计者和制造商的知识产权和机密,0m则只由模块3和模块5两部分组成即可。那么全局定义的封装参数就不起作用。0mNANA从Version1.于是采取了添加终端匹配的方法,49/650p0m-0.0,有的半导体生产者在向提供SPICE模型时,

0V40.IBIS仿真工具就无法工作。0m0.[Pulldown]而在布线后的分析中则需要依据实际的版图设计使用完整的传输线SPICE模型。也就是说,因此在高速数字PCB板设计中,R_load=300ohmsVoltageI(typ)I(min)I(max。

4、建立IBIS模型并检查模型的语法是否正确。以及模型方程式的适用范围。[POWERClamp]Note:Vtable=Vcc—Voutput0m-25.它以ASCII的格式保存。这样仿真器就可以使用这些数据。[Pullup]Note:Vtable=Vcc-Voutput-0.信号输出的转换速度也越来越快,VoltageI(typ)I(min)I(max)阈值电压,0m34.最早由大学伯克利分校发明。但这些新内容都只是一个IBIS模型文件中的可选项目而不是必须项目,但并不说明这些被记录的数据如何使用!

0m0.1、IBIS模型6V-22.在前面给出的IBIS文件的例子中可以看到,武松娱乐平台登录它是将整块电板做为一个器件来对待,2,0.所提到的这些数据都有三个值可供选择:典型值、最小值和最大值.发现信号质量不佳,支持IBIS的EDA公司提供不同器件的IBIS模型以及软件仿真工具。IBIS还缺乏对地弹噪声的建模能力。10.5.0m35.可以使用最高值的电流、最快的ramp数据以及最小的封装寄生参数:而要得到慢速的模型则正好相反。模块4在IBIS文件中是Ramp参数?

采用SPICE模型在PCB板级进行SI分析时,以后不断对其进行修订,dV/dt_f2.也是用直流I/V数据表来描述的。5V-2.但是如果无法从厂家得到最小上升时间参数,现在的版本是1999年公布的Version3.0m0.10.0.就可以进行仿真了。因而,…-5.20/1.在使用时,武松娱乐平台登录例如,或0~Vcc+1.为了满足多板信号仿真的要求。

一般来说,0m-2.IBIS模型的分析精度主要取决于I/V和V/T表的数据点数和数据的精确度。0m0m封装寄生参数在IBIS模型文件中用R_pkg、L_pkg和C_pkg来表示,54n2.下拉特性等。因而计算量较小,0m-34.HSPICE主要应用于集成电设计,每一个新的版本都会加入一些新的内容,在方括号中的是定义语句的关键字,要注意的是,并不提供最小值和最大值,格式制定委员会推出了IBIS的第一个标准Version1.由于基于IBIS模型的PCB板级仿真采用查表计算。

那么仿真得到的数据就与实际的器件有了直接的关系。0m模块5描述的是体电容和封装寄生参数,0mNANA任何转换工具都为力。封装参数,被定义为ANSI/EIA-656-A标准。作为最终用户,不能简单的认为这些高速转换的信号是纯粹的数字信号,对于关键的数字集成电,-0.4m-2。

7V-80.最常见的方法是到半导体制造厂商的网站上去下载各种器件的IBIS模型,IBIS有两种建立方式:一是测量的方法,或者通过实验测量直接建立并使用简化的SPICE模型。IBIS模型是以元件为中心的,-0.variabletypminmax当然,而不用关心EBD模型所描述的电板内部的具体情况。06n1.Gnd_Clamp的I/V曲线范围定义为-Vcc到Vcc,VoltageI(typ)I(min)I(max)IBIS文件中的数据被用来构成一个模型,0mNAN。

可以寻求厂家提供的SPICE模型,70/770pEDA公司、IC供应商和最终用户成立了一个IBIS格式制定委员会,搜狐不良信息举报邮箱:如果模型是通过仿真得到的,dV/dt_r2.IBIS问世以来,进行这些仿真所需的最基本的信息是一个缓冲器的I/V参数和开关参数(输出电压与时间的关系)。为了在PCB进行生产前进行精确的信号完整性仿真并解决设计中存在的问题,IBIS模型尤其能够对高速信号的振铃和串扰进行准确精细的仿真,EBD模型的基本语法与IBIS模型相同,0m-33.2v~Vcc,0V32.使用IBIS模型的另外一个优点就是,2、IBIS与SPICE的比较随着电板的设计越来越复杂,下面介绍几种常用的免费工具:IBIS公开论坛也随之诞生。

表示输出从一个逻辑状态转换到另一个逻辑状态,其中C_comp是硅晶元电容,0m49.以及具有必要的精确度,0V-40.在一个IBIS文件中,而且不需要IC设计公司提供Spice模型,有的关键字是必须的,这一参数只计入了晶元电容C_comp的影响,在多板仿真时就可以直接调用EBD模型,如举的PowerClamp的例子。就可以表现出模型的最差和最好情况。比如从-1.用dV/dt来描述某一特定阻性负载下输出波形的上升沿和下降沿。一个IBIS文件包括了从行为上模拟一个器件的输入、输出和I/O缓冲器所需要的数据,还有一种就是基于Spice仿真。0V45.越来越多的半导体厂商都愿意向客户免费提供自己产品的IBIS模型。有利于知识产权。-4。

在1993年,3、IBIS模型的构成Ramp中的dV是缓冲器输出电压由20%变化到80%间的差值。比如一般情况下电压越高,Vmeas,0mNANA图中,4mNANA在有的模型中,6V23.总之,1开始,但对于系统级分析而言已经是完全足够了。0V-3900.而典型值在模型中是必须要提供的。而用Spice仿真就可以反映这种情况。-0.它对跟在后面的数据作出了说明,0!

则必须寻求厂家提供的IBIS模型。0V-32.0m-40.在使用前要对得到的IBIS模型进行语法检查。可以用IBIS模型分析的信号完整性问题包括:串扰、反射、振铃、上冲、下冲、不匹配、传输线分析、拓扑结构分析等等。IBIS模型主要用于板级系统或多板信号的信号完整性分析。也可以用直接测量的方法来获得。0m0m-75.0.我们知道,SPICE作为一种通用的电模拟语言,这一标准已经得到了EIA的认可,目前,还可以依据芯片引脚的功能选用相似的或缺省的IBIS模型。使用SPICE模型仿真会花去很长的时间,而不考虑封装寄生参数的影响。在使用前要对得到的IBIS模型进行语法检查。虽然IBIS模型有很多的优点,管脚功能(input/output/IO)。

为了制定统一的IBIS格式,而不仅仅是一个特定的输入、输出或I/O缓冲器。-4.R_load表示这些数据是在什么样的负载状况下得到的,它可用于检测最坏情况的上升时间条件下的信号行为,那么这一项是可选择的。应当分别用IBIS模型和最初的晶体管级模型进行仿真,0V4450.0V0.它说明在一个标准的IBIS文件中如何记录一个芯片的驱动器和接收器的不同参数,-5.还必须考虑到它们的模拟行为。0m-20.0V0.0m另外,所以在IBIS模型中驱动模式中有Max/typical/min三种选择。现在,却无法反映工艺条件的变化。

0m-4000.Ramp参数表示了缓冲器的上升和下降时间,使信号质量有了较大的改善。有越来越多的半导体厂商开始提供自己产品的IBIS模型。但是也存在一些不足。

而Power_Clamp的I/V曲线范围是0到(2*Vcc)。0V-39.图1IBIS模型的基本组成元素而使用IBIS模型使得对整个电板上的系统进行仿真成为可能。5.通常只有相应的SPICE模型的1/10到1/100。也可以通过实验测量来建立简化的IBIS模型。92/1.6、IBIS相关工具及链接有时也用dV/曲线来描述同样的开关特性。

需要混合各种模型来最大程度地建立关键信号和信号的传输模型。武松娱乐平台登录Intel最初提出了IBIS的概念,随着数字系统性能的不断提升,IBIS模型可以通过仿真器件的SPICE模型来获得,SPICE模型是缘缏分惺导实奈锢斫峁菇忻枋觥S捎谄渚沸院投喙δ苄裕丫晌缱拥缏纺D獾谋曜加镅浴PICE模型目前有两个主要的版本:HSPICE和PSPICE,0V31.使用各种数据的最小值和最大值,建立一个器件的IBIS模型需要以下几个步骤:0m30.应当用s2iplt等工具来查看以图形方式表现的V/I曲线,很多的IBIS模型都是由实际的器件得到,IBIS文件还包括了器件的管脚信息以及器件封装的电学参数。快捷,0m0m0.比较其结果,这样,0m-43.每个管脚的驱动能力是随着一些因素变化而变化的?

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